BSC035N10NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC035N10NS5ATMA1 por Infineon y BSC040N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC035N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,12 $0,93
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC035N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
On-Resistance (RDS(on) max) 3.5 mOhm —
Power Dissipation (TA=25C) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 156 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel MOSFET —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Gate Drive Logic-level compatible (10V VGS) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 139 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

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