BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC12DN20NS3GATMA1 por Infineon e BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC12DN20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 200V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A 23 A
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Configuration Single N-channel —
Contagem de pinos 8 —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

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