BSS214NWH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon e BSR315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type N-Channel P-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Encapsulamento PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (TJ)
Contagem de pinos — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Fichas técnicas e recursos

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