BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon e BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS™ 5 logic-level
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 65 A
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.5 mΩ
Power Dissipation (PD) Max — 46 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.8 nF

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação