BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ011NE2LS5IATMA1 제조: Infineon 및 BSZ065N06LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSZ065N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.55 | $0.62 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS™ 5 logic-level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 65 A |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.5 mΩ |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.8 nF |