BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ011NE2LS5IATMA1 от Infineon и BSZ065N06LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSZ065N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,55 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS™ 5 logic-level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| Корпус | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 65 A |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.5 mΩ |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 46 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.8 nF |