H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN4G6NBJR-RDC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,15 | $8,09 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Interface | CMOS, fully synchronous | — |
| Package Code | TFBGA (FBGA-96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Package Width | 7.5 mm | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet | — |
| Self Refresh | Auto / Self Refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Speed Grade | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| Temperatura de operação | — | -40C to +95C |
| Encapsulamento | — | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Status RoHS | — | Compliant |