H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-RDC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,15 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | CMOS, fully synchronous | — |
| Package Code | TFBGA (FBGA-96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Package Width | 7.5 mm | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet | — |
| Self Refresh | Auto / Self Refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Speed Grade | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Technology | — | CMOS |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +95C |
| Boîtier | — | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Statut RoHS | — | Compliant |