H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G6NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,15 $8,09
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс CMOS, fully synchronous —
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet —
Self Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
Data Mask Function Yes Yes (DM)
Asynchronous Reset Yes Yes (RESET_n)
On-Die Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes (command/address CRC)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Размер памяти — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Technology — CMOS
Рабочая температура — -40C to +95C
Корпус — FBGA-96 (PBGA-96)
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену