H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NAFR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NAFR-VKC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,15 | $2,40 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | SSTL12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | BL8 |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Status RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Lead-Free & Halogen-Free |
| Process Technology | CMOS | — |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Taxa de dados | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Recursos | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |