H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,50 $84,97
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organização da memória 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Tipo de interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Status do ciclo de vida Active production —
Tamanho da memória — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Taxa de dados — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interface — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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