H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCJR-XNC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NAMR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCJR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NAMR-UHC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.50 | $84.97 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | — |
| Speed Grade / Data Rate | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Architecture | CMOS DDR4 with bank groups | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA solder ball) | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel, synchronous, double data rate | — |
| Available Speed Bins (family) | PB / RD / TF / UH / VK | — |
| Application Class | Main memory, embedded, industrial | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 수명 주기 상태 | Active production | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |