IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC41N06S5L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon e IAUC41N06S5L por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5L
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount TDSON-8 (PG-TDSON-8)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Channel Polarity N-Channel (single) —
Part Number — IAUC41N06S5L
Technology — OptiMOS-5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: I_D max value]
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 10 mΩ typical
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — Logic-level (around 1.7 V typical)
Maximum Operating Junction Temperature — 175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Channel Type — N-channel, Enhancement mode
Lead-Free — Yes
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]

Fichas técnicas e recursos

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