IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC41N06S5L 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC41N06S5N102ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC41N06S5L 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5L
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
패키지 PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount TDSON-8 (PG-TDSON-8)
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant Compliant (Green Product)
Channel Polarity N-Channel (single) —
Part Number — IAUC41N06S5L
Technology — OptiMOS-5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: I_D max value]
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 10 mΩ typical
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — Logic-level (around 1.7 V typical)
Maximum Operating Junction Temperature — 175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Channel Type — N-channel, Enhancement mode
Lead-Free — Yes
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]

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