IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC120N06S5N017ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5N017ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC 95.9 nC
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF 1.507 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF 84 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 757 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.7 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
Input Capacitance (Ciss) — 6.952 nF
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 167 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
AEC-Q101 Qualification — Yes (Automotive Grade)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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