IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L042GATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L028ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7L042GATMA1 | IAUCN04S7L028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,86 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 40V | — |
| Technology | Trench N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 77 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Encapsulamento | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (Tj) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualified | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) | — |
| Target Substrate | IMS substrate and legacy FR4 designs | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 2.80 mOhm at VGS=10 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 1.8 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | 24 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.578 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 788 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 36 pF |
| Dissipação de potência (Ptot) | — | 58 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |