IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7L042GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7L042GATMA1 | IAUCN04S7L028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 40V | — |
| Technology | Trench N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 77 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (Tj) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualified | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) | — |
| Target Substrate | IMS substrate and legacy FR4 designs | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 2.80 mOhm at VGS=10 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 1.8 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | 24 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.578 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 788 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 36 pF |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | 58 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |