IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L042GATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L028ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
패키지 PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
실장 유형 Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Series — OptiMOS 7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
전력 손실 (Ptot) — 58 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청