IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7N024ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,89
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 7 trench
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +175C (typical automotive)
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Dissipação de potência (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Fichas técnicas e recursos

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