IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ18N10S5L420ATMA1 por Infineon e IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $2,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 trench-gate
Configuration Single with built-in diode —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Product Series — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 260 A (Tj)
On-State Resistance (Rds(on)) — 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs)
Power Dissipation (Pd) — 300 W (Tc)
Contagem de pinos — 16
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Automotive Qualified — Yes (IAUS prefix denotes automotive grade)

Fichas técnicas e recursos

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