IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ18N10S5L420ATMA1 제조: Infineon 및 IAUS260N10S5N019TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUS260N10S5N019TATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $2.95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 trench-gate |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 260 A (Tj) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 300 W (Tc) |
| 핀 수 | — | 16 |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) |