IGB30N60H3ATMA1 vs IKD15N60RFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IGB30N60H3ATMA1 por Infineon e IKD15N60RFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IGB30N60H3ATMA1 IKD15N60RFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria IGBTs IGBTs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,35
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family TRENCHSTOP IGBT3 —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) 60 A —
Pulsed Collector Current (ICpuls) [DATA_NEEDED: pulsed collector current value] —
Dissipação de potência (Ptot) 187 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/- 20 V —
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V) —
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
Turn-Off Time (toff) 262 ns (nominal) —
Technology Trench Field Stop TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode)
Configuration Single IGBT —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -40C to +175C -40C to +175C
Storage Temperature -55C to +150C —
Terminal Form Gull Wing —
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Status RoHS Compliant —
Switching Behavior MOSFET-like turn-off —
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) — 30 A
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) — 15 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: ICM value]
Gate-Emitter Voltage (VGES) — +/-20 V
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V — 1.5 V (typical)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 250 W
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (RC-Drives Fast, co-packaged)
Switching Speed Class — Hard-switching, RC-Drives Fast
Target Application — Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives)
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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