IGB30N60H3ATMA1 vs IKD15N60RFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGB30N60H3ATMA1 par Infineon et IKD15N60RFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGB30N60H3ATMA1 IKD15N60RFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,35
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family TRENCHSTOP IGBT3 —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) 60 A —
Pulsed Collector Current (ICpuls) [DATA_NEEDED: pulsed collector current value] —
Dissipation de puissance (Ptot) 187 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/- 20 V —
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V) —
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
Turn-Off Time (toff) 262 ns (nominal) —
Technology Trench Field Stop TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode)
Configuration Single IGBT —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -40C to +175C -40C to +175C
Storage Temperature -55C to +150C —
Terminal Form Gull Wing —
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Statut RoHS Compliant —
Switching Behavior MOSFET-like turn-off —
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) — 30 A
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) — 15 A
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: ICM value]
Gate-Emitter Voltage (VGES) — +/-20 V
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V — 1.5 V (typical)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 250 W
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes (RC-Drives Fast, co-packaged)
Switching Speed Class — Hard-switching, RC-Drives Fast
Target Application — Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives)
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis