IGLT65R035D2ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IGLT65R035D2ATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IGLT65R035D2ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,10 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 TOLT | — |
| Tipo de transistor | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 47 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 154 W | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | 540 pF | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| Encapsulamento | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Configuration | Top-side cooled (TOLT) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Production Wafer Size | 200 mm (8 inch) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |