IGLT65R035D2ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IGLT65R035D2ATMA1 от Infineon и BSC076N04NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IGLT65R035D2ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,10 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT —
Тип транзистора N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Корпус PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену