IPA60R190C6 vs IPB60R190C6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPA60R190C6 por Infineon e IPB60R190C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPA60R190C6 IPB60R190C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C6 —
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 20.2 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 190 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Rise Time tr typ [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time tf typ [DATA_NEEDED: tf] —
Avalanche Energy EAS [DATA_NEEDED: EAS] —
Power Dissipation Ptot at TC=25C [DATA_NEEDED: Ptot] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulamento TO-220 FullPAK (TO-220FP-3) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Through-Hole (isolated tab) Surface Mount
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 151 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 190 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) typ — 32 nC
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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