IPA60R190C6 vs IPB60R190C6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPA60R190C6 제조: Infineon 및 IPB60R190C6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPA60R190C6 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $1.45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) / CoolMOS | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 20.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 190 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Rise Time tr typ | [DATA_NEEDED: tr] | — |
| Fall Time tf typ | [DATA_NEEDED: tf] | — |
| Avalanche Energy EAS | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Power Dissipation Ptot at TC=25C | [DATA_NEEDED: Ptot] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55C to +150C |
| 패키지 | TO-220 FullPAK (TO-220FP-3) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Through-Hole (isolated tab) | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Channel Polarity | N-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |