IPD031N06L3GATMA1 vs IPT007N06NATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon e IPT007N06NATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N06L3GATMA1 IPT007N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $2,84
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Nível MSL 1 (Unlimited) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fichas técnicas e recursos

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