IPD031N06L3GATMA1 vs IPT007N06NATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD031N06L3GATMA1 von Infineon und IPT007N06NATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD031N06L3GATMA1 IPT007N06NATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $2,84
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55 C to +175 C (TJ)
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
MSL-Level 1 (Unlimited) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

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