IPD031N06L3GATMA1 vs IPT007N06NATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD031N06L3GATMA1 제조: Infineon 및 IPT007N06NATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD031N06L3GATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $2.84 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C (TJ) |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| MSL 레벨 | 1 (Unlimited) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |