IPD60R280P7SAUMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e BSC016N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 BSC016N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel OptiMOS™ 5
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Status RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Gate Drive (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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