IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e IPD60R380C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R380C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,41
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C -55C to +150C
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel CoolMOS C6 Superjunction
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Status RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Fichas técnicas e recursos

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