IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon et IPD60R380C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R380C6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,41
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C -55C to +150C
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel CoolMOS C6 Superjunction
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Fiches techniques et ressources

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