IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e IPL65R070C7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN95R3K7P7ATMA1 IPL65R070C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) Superjunction N-Channel MOSFET
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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