IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPN95R3K7P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPL65R070C7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN95R3K7P7ATMA1 IPL65R070C7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.44 $1.68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) Superjunction N-Channel MOSFET
パッケージ PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +150 C -55°C to +150°C
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel

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