IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e IPN60R2K0PFD7SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPN95R3K7P7ATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $0,28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS superjunction
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Status RoHS Compliant Compliant (per Newark listing)
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — CoolMOS PFD7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fichas técnicas e recursos

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