IPP120N08S403AKSA1 vs FDP100N10 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP120N08S403AKSA1 por Infineon e FDP100N10 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPP120N08S403AKSA1 FDP100N10
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,15 $1,32
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A —
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) 245 A at 25 C —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 278 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 167 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11550 pF —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.54 K/W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (TO-220AB)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Nível MSL MSL1 (peak reflow up to 260 C) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100% avalanche-tested —
Status RoHS Compliant (Green Product) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Technology Family OptiMOS —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 75 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on) Max) — 10 mOhm
Power Dissipation (PD) — 208 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS Max) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) Max) — 4.5 V @ 250 uA
Technology — PowerTrench MOSFET
Configuration — Single MOSFET
Product Series — PowerTrench
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
Estilo de montagem — Through Hole / TO-220AB package
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (onsemi)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: gate charge]

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