IPW60R037P7XKSA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPW60R037P7XKSA1 por Infineon e IMLT65R040M2HXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPW60R037P7XKSA1 | IMLT65R040M2HXTMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,55 | $4,25 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | 76 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | 37 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | 255 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) | PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET |
| Orderable Part Number Suffix | XKSA1 (tube packaging, industrial) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 57 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | 143 A |
| On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) | — | 40 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) | — | 49 mΩ |
| Total Gate Charge QG | — | 28 nC |
| Output Charge QOSS @ 400 V | — | 53 nC |
| Output Energy EOSS @ 400 V | — | 7.2 µJ |
| Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) | — | 268 W |
| Recommended Gate Drive Voltage VGS | — | 18 V (turn-off: 0 V or negative) |
| Qualification | — | JEDEC industrial |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Special Features | — | Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized |