IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQD020N10NM5CGATMA1 por Infineon e IQEH68NE2LM7UCGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ AtivoInfineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,28 | $1,35 |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |