IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon e IQD020N10NM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,84 $1,28
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Power-Transistor OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (Ta) 75 A —
Continuous Drain Current (Tc) 789 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 278 W —
Maximum On-Resistance RDS(on) 0.29 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Contagem de pinos 9 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Cooling Dual-side exposed pad (top + bottom) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Status RoHS Compliant Compliant
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve]
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C — 273 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ (at VGS=10V)
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 333 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Qualification — Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family)

Fichas técnicas e recursos

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