IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 от Infineon и IQD020N10NM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,84 | $1,28 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Корпус | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| Число выводов | 9 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |