IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE012N03LM5CGSCATMA1 por Infineon e BSC009NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | BSC009NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,55 | $1,02 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer Part Number | — | BSC009NE2LS5IATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | 20 V |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | — | 217 A (pulsed, datasheet rating) |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | — | 74 W |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | — | 23 nC @ V_GS=0-4.5V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 3200 pF |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +150°C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin (e3 per JESD-609) |
| Number of Terminals | — | 8 |