IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 2 V
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (typical MOSFET range) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 7 (trench)
Continuous Drain Current (ID) at TC — 440 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 57 A
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 150 W
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 0.46 mOhm
Polarity / Channel Type — Single N-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Topology Suitability — Hard- and soft-switching

Fichas técnicas e recursos

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