IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQEH54NE2LM7UCGATMA1 제조: Infineon 및 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.95 | $1.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 2 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 7 (trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 440 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 57 A |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 150 W |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.46 mOhm |
| Polarity / Channel Type | — | Single N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Topology Suitability | — | Hard- and soft-switching |