IRF4905STRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905STRLPBF por Infineon e IRF9540NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905STRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,58
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, Advanced Process
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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