IRF4905STRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF4905STRLPBF 제조: Infineon 및 IRF9540NSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF4905STRLPBF IRF9540NSTRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $0.58
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, Advanced Process
MSL 레벨 1 —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

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