IRF4905STRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF4905STRLPBF от Infineon и IRF9540NSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF4905STRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $0,58
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, Advanced Process
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену