IRF530NPBF vs IRFZ44NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF530NPBF por Infineon e IRFZ44NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF530NPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,65
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Tipo de transistor N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) 17.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Encapsulamento — TO-220AB (3-pin + tab)
Technology — HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fichas técnicas e recursos

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