IRFB4410PBF vs IRF1407PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4410PBF por Infineon e IRF1407PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4410PBF IRF1407PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 88 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ 100C [DATA_NEEDED: Id @ 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
RDS(on) max @ VGS=10V 10 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) 200 W (Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Series HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

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