IRFB4410PBF vs IRF1407PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4410PBF por Infineon y IRF1407PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4410PBF IRF1407PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,15 $0,86
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 88 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ 100C [DATA_NEEDED: Id @ 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
RDS(on) max @ VGS=10V 10 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) 200 W (Tc) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated —
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Series HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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